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申请/专利权人：浙江英洛华磁业有限公司
申请日：2024-03-13
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248425A
主分类号：H01F1/057
分类号：H01F1/057;H01F41/02;H01F27/34
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开了一种抑制涡流损耗的R‑T‑B稀土永磁体，基于层叠法在磁体垂直于取向方向表面开槽或缝隙，形成类似层叠的结构降低磁体涡流损耗，并采用真空高温热处理或晶界扩散对磁体因加工槽或缝隙产生的加工劣化面进行修复，保证磁体具有较高的磁性能，最后通过表面氧化、钝化或磷化的方法在磁体表层形成一定厚度的氧化层、钝化层或磷化层，提高磁体表面以及磁体槽或缝隙表面的电阻率，有效防止槽或缝隙宽度较窄时因加工不良或加工电流击穿出现的导通现象，进一步降低磁体的涡流损耗，制备出具有高性能并有效抑制涡流损耗的R‑T‑B稀土永磁体。
主权项：1.一种抑制涡流损耗的R-T-B稀土永磁体，其特征在于所述磁体成分包含：R：28.5wt.%~34.0wt.%，R包含R1和R2，R1包含Dy和Tb，R1占磁体质量比为0.01wt.%~15.0wt.%；R的余量为R2，R2为Pr、Nd、Ho、Gd、Er、La、Ce、Y中的至少一种；B：0.85wt.%~1.1wt.%，M：0.1wt.%~8.0wt.%，M为Al、Cu、Ga、Ti、Zr、Nb、W、Mo、V、Mn、Zn中的一种或多种，余量为T及其他不可避免杂质，T为Fe或Fe和Co，所述磁体在垂直于磁场取向方向的表面，记为C面，在C面设置至少1个深入磁体内部的槽或缝隙，槽或缝隙在磁体内部的表面记为A面，所述A面满足：A面的氧含量高于磁体平均的氧含量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江英洛华磁业有限公司 一种抑制涡流损耗的R-T-B稀土永磁体及其制备方法
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