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稀土掺杂AZO多晶薄膜材料及其制备方法 

申请/专利权人:郑州大学;中原关键金属实验室

申请日:2024-03-28

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN118256868A

主分类号:C23C14/08

分类号:C23C14/08;C04B35/453;C04B35/622;C23C14/35;C23C14/54;C30B29/22;C30B23/00;H01B5/14;H01B13/00

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.28#公开

摘要:本发明实施例公开了稀土掺杂AZO多晶薄膜材料及其制备方法;多晶薄膜材料由稀土、氧化铝对氧化锌进行共掺杂得到,其中,稀土的含量为0.1~5wt.%,氧化铝的含量为2wt.%,氧化锌的含量为93~98wt.%;多晶薄膜材料的厚度为50~500nm,可见光透过率为85~95%,电阻率为1×10‑4~9×10‑4Ω·cm;制备方法包括步骤:S1、稀土粉体、氧化铝粉体与氧化锌粉体混合,得到混合粉体;S2、混合粉体压制、烧结得到靶材;S3、以得到的靶材为溅射靶材,在衬底上沉积得到系统掺杂AZO多晶薄膜材料。AZO多晶薄膜材料性能优异,且稳定性好,可以媲美ITO材料,满足光伏电池、薄膜显示器等领域的应用要求;且制备方法简单,工艺参数易于调控,适合工业化生产。

主权项:1.稀土掺杂AZO多晶薄膜材料,其特征在于,所述多晶薄膜材料由稀土、氧化铝对氧化锌进行共掺杂得到,其中,所述稀土的含量为0.1~5wt.%,所述氧化铝的含量为2wt.%,所述氧化锌的含量为93~98wt.%;所述多晶薄膜材料的厚度为50~500nm,可见光透过率为85~95%,电阻率为1×10-4~9×10-4Ω·cm。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 郑州大学;中原关键金属实验室 稀土掺杂AZO多晶薄膜材料及其制备方法

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