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申请/专利权人：爱尔兰国立高威大学
申请日：2018-09-12
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN111095482B
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02;H01L21/268
优先权：["20170914 GB 1714802.4"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2020.05.29#实质审查的生效;2020.05.01#公开
摘要：公开了一种处理靶材料的方法。在一种布置中，用辐射束照射多层结构。多层结构至少包括包含靶材料的靶层和不包含靶材料的附加层。附加层是金属的。在多层结构的照射期间，靶层通过附加层被照射。能量从辐射束到靶层以及到附加层的传递使得在靶层中引起热诱导变化。热诱导的变化包括以下一种或多种：靶材料中的晶体生长，靶材料中的载流子迁移率增加，靶材料中的化学稳定性增加以及靶材料中电性能的均匀性增加。
主权项：1.一种处理靶材料的方法，包括：用辐射束照射多层结构，所述多层结构至少包括包含所述靶材料的靶层和不包含所述靶材料的附加层，其中：所述附加层是金属的；在所述多层结构的照射过程中，通过所述附加层照射所述靶层；能量从所述辐射束到所述靶层以及到所述附加层的转移使得在所述靶层中引起热诱导变化，所述热诱导变化包括所述靶材料中的晶体生长；以及在所述靶层中发生了热诱导变化之后，对所述多层结构的照射导致至少所述附加层被照射的部分与所述靶层分离。
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