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基板处理方法和基板处理装置 

申请/专利权人:东京毅力科创株式会社

申请日:2019-08-09

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN112567501B

主分类号:H01L21/304

分类号:H01L21/304;F26B3/02;F26B3/28

优先权:["20180821 JP 2018-154985"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.28#授权;2021.06.11#实质审查的生效;2021.03.26#公开

摘要:课题在于,在基板的干燥处理中切实地防止图案崩塌。解决方案是一种基板处理方法,其将表面形成有凹凸图案的基板上的液体去除而使基板干燥,其具备如下工序:在所述基板的凹部内形成成为下层的固体状态的第一材料、和成为上层的固体状态的第二材料的工序;使第二材料升华、分解、气体反应而去除第二材料的工序;之后,使第一材料分解、气体反应而去除第一材料的工序。

主权项:1.一种基板处理方法,其是将表面形成有凹凸图案的基板上的液体去除而使基板干燥的基板处理方法,其具备如下工序:在所述图案的凹部内形成至少两层结构的层叠体的工序,所述至少两层结构的层叠体包含构成下层的固体状态的第一材料、和构成上层的固体状态的第二材料;对于所述第二材料实施加热处理、光照射处理、使用了气体的反应处理中的至少任意者,使所述第二材料升华、分解、进行气体反应,从而从所述凹部去除第二材料并且在所述凹部内残留固体状态的所述第一材料的工序;以及在从所述凹部去除所述第二材料的工序之后,对于在所述凹部内残留的所述第一材料实施加热处理、光照射处理、使用了气体的反应处理中的至少任意者,使所述第一材料升华、分解、进行气体反应,从而从所述凹部去除第一材料的工序。

全文数据:

权利要求:

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