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申请/专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日：2022-12-20
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118259511A
主分类号：G02F1/139
分类号：G02F1/139;G03H1/02;G02B1/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请涉及全息超材料光器件及其制备和控制技术领域，提供一种全息超材料底片、全息超材料光器件的制备系统及方法，其中，全息超材料底片包括：基板；取向层，设置于基板一侧；以及液晶层，设置于取向层背离基板的一侧，液晶层包括多个液晶分子，且通过调控液晶层的手性强度，靠近取向层的多个液晶分子沿其自身所在的液晶分子层的法线方向排布或者偏离其自身所在的液晶分子层的法线方向排布。通过控制手性强弱，控制靠近取向层的多个液晶分子在面内旋转，液晶光轴的面内分布发生重排，具有全息图可加载重构的能力。
主权项：1.一种全息超材料底片，其特征在于，包括：基板；取向层，设置于所述基板一侧；以及液晶层，设置于所述取向层背离所述基板的一侧，所述液晶层包括多个液晶分子，且通过调控所述液晶层的手性强度，靠近所述取向层的所述多个液晶分子沿其自身所在的液晶分子层的法线方向排布或者偏离其自身所在的液晶分子层的法线方向排布。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中兴通讯股份有限公司 全息超材料底片、全息超材料光器件的制备系统及方法
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