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申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日：2022-12-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263254A
主分类号：H01L27/12
分类号：H01L27/12;H01L21/77;H01L27/15
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请公开了一种低温多晶硅薄膜及其制作方法和显示模组。低温多晶硅薄膜的制作方法包括：提供一基板；在基板上通过第一工艺制备第一结晶区域；在基板上通过第二工艺制备第二结晶区域，第二结晶区域的迁移率高于第一结晶区域；在第一结晶区域制备开关晶体管；在第二结晶区域制备驱动晶体管。在本申请实施方式的低温多晶硅薄膜的制作方法中，可以在基板上区分第一结晶区域和第二结晶区域，在第一结晶区域上制备开关晶体管，在第二结晶区域上制备驱动晶体管，第一结晶区域可以覆盖整个基板，保证结晶的均匀性，第二结晶区域有较高的迁移率，进而提高驱动晶体管的迁移率，这样在保证结晶均匀的前提下可以降低驱动晶体管的功耗。
主权项：1.一种低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板；在所述基板上通过第一工艺制备第一结晶区域；在所述基板上通过第二工艺制备第二结晶区域，所述第二结晶区域的迁移率高于所述第一结晶区域；在所述第一结晶区域制备开关晶体管；在所述第二结晶区域制备驱动晶体管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 低温多晶硅薄膜及其制作方法和显示模组
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