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申请/专利权人：思科技术公司
申请日：2020-03-10
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN113557469B
主分类号：G02F1/025
分类号：G02F1/025
优先权：["20190312 US 16/351,079"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2021.11.12#实质审查的生效;2021.10.26#公开
摘要：实施例提供了一种光调制器，该光调制器包括：第一硅区域；多晶硅区域；栅极氧化物区域，该栅极氧化物区域将第一硅区域接合到多晶区域的第一侧；以及第二硅区域，该第二硅区域形成在多晶硅区域的与第一侧相对的第二侧上，从而在第一硅区域、多晶区域、栅极氧化物区域和第二硅区域之间限定光调制器的有源区域。多晶硅区域的厚度可以介于0纳米与60纳米之间，并且该多晶硅区域可以被形成或图案化到所期望的厚度。第二硅区域可以从多晶硅区域外延生长并且被与多晶硅区域分开地或与多晶硅区域相结合地图案化为期望的横截面形状。
主权项：1.一种光调制器，包括：第一硅区域；多晶硅区域；栅极氧化物区域，所述栅极氧化物区域将所述第一硅区域接合到所述多晶硅区域的第一侧；以及第二硅区域，所述第二硅区域生长在所述多晶硅区域的与所述第一侧相对的第二侧上，从而在所述第一硅区域、所述多晶硅区域、所述栅极氧化物区域和所述第二硅区域之间限定光调制器的有源区域，其中，所述第二硅区域包括以下至少一者：部分地或完全地耗尽的互补金属氧化物半导体CMOS元素、应变硅、硅锗、或单晶硅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 思科技术公司 具有外延再生长在多晶硅之上的区域的光调制器
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