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申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
申请日：2022-12-28
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118256896A
主分类号：C23C16/455
分类号：C23C16/455;C23C16/32;H01L21/67;H01L21/02
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种气体供给装置及气相生长装置，所述气体供给装置用于向气相生长装置的反应腔内通入工艺气体，包括：第一气体通道，其通过第一出气口将第一源气体通入反应腔；第二气体通道，其通过第二出气口将第二源气体通入反应腔；调节通道，其通过调节出气口将载气通入反应腔；其中，调节出气口位于气体供给装置下表面的中心区域，第一出气口及第二出气口位于气体供给装置下表面的中心区域之外的边缘区域。本发明能够提高边界层厚度均匀性，以提高生长的SiC薄膜厚度的均匀性。
主权项：1.一种气体供给装置，其用于向气相生长装置的反应腔内通入工艺气体，其特征在于，包括：第一气体通道，其通过第一出气口将第一源气体通入所述反应腔；第二气体通道，其通过第二出气口将第二源气体通入所述反应腔；调节通道，其通过调节出气口将载气通入所述反应腔；其中，所述调节出气口位于所述气体供给装置的下表面的中心区域，所述第一出气口及所述第二出气口位于所述气体供给装置的下表面的中心区域之外的边缘区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 气体供给装置及气相生长装置
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