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申请/专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日：2022-05-21
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118216222A
主分类号：H10B41/23
分类号：H10B41/23;H10B41/35;H10B43/35;H10B43/27
优先权：["20220223 US 17/678,499"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.05#实质审查的生效;2024.06.18#公开
摘要：在衬底之上形成绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠，并且穿过该交替堆叠形成支撑柱结构。通过图案化该交替堆叠和这些支撑柱结构来形成阶梯式表面。在这些阶梯式表面之上形成后向阶梯式介电材料部分。穿过该交替堆叠形成存储器开口和存储器开口填充结构。通过用至少一种导电材料替换至少这些牺牲材料层来形成导电层。穿过该后向阶梯式介电材料部分在这些导电层上形成接触通孔结构。第一支撑柱结构位于第一接触通孔结构正下方。
主权项：1.一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，所述交替堆叠包含阶梯区中的阶梯式表面；存储器开口，所述存储器开口竖直延伸穿过所述交替堆叠；位于所述存储器开口中的存储器开口填充结构，其中所述存储器开口填充结构中的每个存储器开口填充结构包括竖直半导体沟道和存储器元件的竖直堆叠；后向阶梯式介电材料部分，所述后向阶梯式介电材料部分上覆所述交替堆叠在所述阶梯区内的部分；第一接触通孔结构，所述第一接触通孔结构竖直延伸穿过所述后向阶梯式介电材料部分并且接触所述导电层中的第一导电层；和第一支撑柱结构，所述第一支撑柱结构包括位于所述第一接触通孔结构正下方的介电填充材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 具有位于支撑柱结构之上的接触通孔结构的三维存储器器件及其制造方法
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