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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2022-12-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118265288A
主分类号：H10B12/00
分类号：H10B12/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本文公开了存储器器件和用于形成存储器器件的方法。一种存储器器件，包括设置在第一半导体层的第一侧上的存储单元的阵列，以及设置在存储单元的阵列上的焊盘输出结构。存储单元中的每个存储单元包括：在第一方向上延伸的半导体主体，第一端子和第二端子形成在半导体主体的两端处，第一端子与第一半导体层的第一侧接触；在垂直于第一方向的第二方向上延伸的字线；以及在第二方向上延伸的板线。
主权项：1.一种存储器器件，包括：存储单元的阵列，所述存储单元的阵列设置在第一半导体层的第一侧上，其中，所述存储单元中的每个存储单元包括：半导体主体，所述半导体主体在第一方向上延伸，其中，第一端子和第二端子形成在所述半导体主体的两端处，所述第一端子与所述第一半导体层的所述第一侧接触；字线，所述字线在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；以及板线，所述板线在所述第二方向上延伸；以及焊盘输出结构，所述焊盘输出结构设置在所述存储单元的阵列上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 存储器器件和用于形成存储器器件的方法
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