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申请/专利权人：西安翔腾微电子科技有限公司
申请日：2020-12-05
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN112687558B
主分类号：H01L21/62
分类号：H01L21/62;H10N97/00;H01L23/64
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2021.05.07#实质审查的生效;2021.04.20#公开
摘要：本发明涉及一种改善激光修调多晶硅电阻精度的方法，本发明包括以下步骤：1将多晶硅电阻设计成矩形，将金属连线设置在矩形多晶硅电阻两侧；2使用激光将多晶硅电阻金属连线未连接的多晶硅电阻两侧边缘进行修调；3在多晶硅电阻上进行粗调；4在多晶硅电阻上进行细调。本发明对多晶硅电阻两侧边缘进行激光修调，可减小低阻区，改善了粗调和精调的激光修调效果，达到对多晶硅电阻的激光精确修调，降低了流片成本。
主权项：1.一种改善激光修调多晶硅电阻精度的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：1）将多晶硅电阻设计成矩形，将金属连线设置在矩形多晶硅电阻两侧的中部；2）使用激光将金属连线与多晶硅电阻的连接处两侧的多晶硅电阻的边缘进行修调；具体为使用激光沿多晶硅电阻两侧边缘由上向下进行描边；3）在多晶硅电阻上进行粗调；描边完成后，在多晶硅电阻上再使用激光连续由多晶硅电阻的未连接金属连线的两侧向多晶硅电阻的中心修调；4）在多晶硅电阻上进行细调；粗调结束后在多晶硅电阻上使用激光平行进行短点修调。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安翔腾微电子科技有限公司 一种改善激光修调多晶硅电阻精度的方法
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