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申请/专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日：2024-05-30
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118255779A
主分类号：C07D493/04
分类号：C07D493/04;C07C211/63;C07C209/00;C09K13/00;H01L21/3213
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明涉及一种异山梨醇基强碱性季铵碱，及包含其的多晶硅蚀刻液、其制备方法及应用。所述多晶硅蚀刻液，组分中包含异山梨醇基强碱性季铵碱，非离子表面活性剂和超纯水。本发明蚀刻液在多叠层蚀刻过程可保证多晶硅蚀刻均一性，与此同时在最佳蚀刻条件下，蚀刻液具有良好的使用寿命与稳定性，可在3D闪存芯片领域应用，用于解决以往蚀刻过程中底部多晶硅蚀刻深度与顶部不一致，蚀刻液浓度受温度影响变大问题。
主权项：1.一种异山梨醇基强碱性季铵碱，其特征在于，所述异山梨醇基强碱性季铵碱为下式Ⅱ化合物： 式Ⅱ其中，R2选自甲基、乙基、丙基或丁基。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江奥首材料科技有限公司 一种异山梨醇基强碱性季铵碱，及包含其的多晶硅蚀刻液、其制备方法及应用
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