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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2023-12-19
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263120A
主分类号：H01L21/3213
分类号：H01L21/3213
优先权：["20221227 JP 2022-210014"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，抑制弧状弯曲。蚀刻方法包括：a工序，将具有蚀刻对象膜和蚀刻对象膜上的掩模的基板提供到腔室内的基板支承部上；b工序，对蚀刻对象膜进行蚀刻来形成凹部，在b工序中将腔室内的压力控制为第一压力，并且将基板支承部的温度控制为第一温度；以及c工序，使用从包含含金属气体的处理气体生成的等离子体来在凹部的侧壁的一部分形成含金属膜，在c工序中将腔室内的压力控制为比第一压力高的第二压力，并且将基板支承部的温度控制为第一温度以下的第二温度。
主权项：1.一种蚀刻方法，包括：a工序，将具有蚀刻对象膜和所述蚀刻对象膜上的掩模的基板提供到腔室内的基板支承部上；b工序，对所述蚀刻对象膜进行蚀刻来形成凹部，在b工序中将所述腔室内的压力控制为第一压力，并且将所述基板支承部的温度控制为第一温度；以及c工序，使用从包含含金属气体的处理气体生成的等离子体来在所述凹部的侧壁的一部分形成含金属膜，在c工序中将所述腔室内的压力控制为比所述第一压力高的第二压力，并且将所述基板支承部的温度控制为所述第一温度以下的第二温度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 蚀刻方法和等离子体处理装置
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