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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2023-12-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263113A
主分类号：H01L21/311
分类号：H01L21/311;H01L21/033;H01J37/32
优先权：["20221227 JP 2022-209596","20231106 JP 2023-189189"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明的蚀刻方法包括如下工序：a准备基板的工序，基板包括第1区域及第1区域下方的第2区域，第1区域包含第1材料并且具有开口，第2区域包含与第1材料不同并且含有硅的第2材料；b使用由第1处理气体生成的第1等离子体，在第1区域上形成含金属沉积物的工序，所述第1处理气体含有碳及氢中的至少1个、卤素及金属；及c在b之后，使用由与第1处理气体不同的第2处理气体生成的第2等离子体，经由开口对第2区域进行蚀刻的工序。
主权项：1.一种蚀刻方法，其包括如下工序：a准备基板的工序，所述基板包括第1区域及所述第1区域下方的第2区域，所述第1区域包含第1材料并且具有开口，所述第2区域包含与所述第1材料不同并且含有硅的第2材料；b使用由第1处理气体生成的第1等离子体，在所述第1区域上形成含金属沉积物的工序，所述第1处理气体含有碳及氢中的至少1个、卤素及金属；以及c在所述b之后，使用由与所述第1处理气体不同的第2处理气体生成的第2等离子体，经由所述开口对所述第2区域进行蚀刻的工序。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 蚀刻方法及等离子体处理装置
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