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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2023-12-14
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263110A
主分类号：H01L21/311
分类号：H01L21/311;H01J37/32
优先权：["20221227 JP 2022-209422"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明所公开的蚀刻方法包括在腔体内在基板支承部上准备基板的工序a。基板包括：多层膜，包括多个第1膜及与该多个第1膜交替层叠的多个第2膜；及掩模，设置于多层膜上。蚀刻方法还包括对多个第1膜中的1个以上第1膜进行蚀刻的工序b。蚀刻方法还包括对多个第2膜中的1个以上第2膜进行蚀刻的工序c。在工序b及工序c的每一个中，间歇地或周期性地供给等离子体生成用源高频功率的脉冲及用于吸入离子的电偏置的脉冲。
主权项：1.一种蚀刻方法，其包括：a在等离子体处理装置的腔体内在基板支承部上准备基板的工序，该基板包括：多层膜，包括由氧化硅形成的多个第1膜及由氮化硅形成且与该多个第1膜交替层叠的多个第2膜；及掩模，设置于所述多层膜上，所述多层膜在所述掩模的开口下方包括第1区域及与该第1区域相邻的第2区域，该第1区域及该第2区域的每一个在与这些排列的方向正交的截面中具有阶梯形状，在所述掩模的开口下方由所述第1区域所限定的第1凹部的深度大于在所述掩模的开口下方由所述第2区域所限定的第2凹部的深度；b通过在所述腔体内由第1处理气体生成等离子体，对所述多个第1膜中的1个以上第1膜进行蚀刻的工序；及c通过在所述腔体内由第2处理气体生成等离子体，对所述多个第2膜中的1个以上第2膜进行蚀刻的工序，在所述b及所述c的每一个中，间歇地或周期性地供给在所述腔体内用于生成等离子体的源高频功率的脉冲及用于从所述腔体内的等离子体将离子引入所述基板的电偏置的脉冲。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 蚀刻方法及等离子体处理装置
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