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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2020-02-18
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263114A
主分类号：H01L21/311
分类号：H01L21/311;H01J37/32
优先权：["20190218 JP 2019-026951","20200204 JP 2020-016826"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供一种蚀刻方法。该蚀刻方法包括：将包含氧化硅膜的基片置于载置台上的步骤；将上述基片的表面温度控制为﹣70℃以下的温度的步骤；在上述进行控制的步骤后，供给等离子体生成用的高频电功率从含氟和氢的气体生成等离子体来蚀刻上述氧化硅膜的步骤；和使上述基片的表面温度上升，使通过上述蚀刻生成的副生成物挥发的步骤。本发明能够提高蚀刻速率。
主权项：1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：腔室；所述腔室内的载置台；冷却器，其构成为能够使热交换介质在所述载置台中流通，以控制所述载置台的温度；等离子体生成用的高频电源；偏置电源；和控制部，所述控制部构成为能够执行处理，所述处理包括：步骤a，将具有含硅膜的基片置于载置台上；和步骤b，将所述载置台的温度设定为﹣70℃以下后，蚀刻所述含硅膜，所述步骤b包括：步骤b1，供给含氟和氢的处理气体；步骤b2，从所述处理气体生成等离子体；和步骤b3，使所述基片的表面温度上升。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和蚀刻方法
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