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申请/专利权人：广东天域半导体股份有限公司
申请日：2024-03-29
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118256991A
主分类号：C30B25/18
分类号：C30B25/18;H01L21/02;H01L21/04;C30B29/36;C30B25/20
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供了一种碳化硅外延片的生长工艺。此碳化硅外延片的生长工艺包括依次的如下步骤：I将碳化硅衬底进行前处理；II采用分子束外延设备于所述碳化硅衬底上形成第一碳化硅缓冲层；III置于化学气相沉积设备的外延炉中，先于1000～1400℃下进行热处理，再升高温度进行气相沉积以于所述第一碳化硅缓冲层上形成第二碳化硅缓冲层；IV于所述第二碳化硅缓冲层上外延生长出预定厚度的外延层。本发明的碳化硅外延片的生长工艺可消除反应产物污染，在衬底与外延层间做好贯穿晶体缺陷的转化，可完美的隔离外延缺陷。
主权项：1.一种碳化硅外延片的生长工艺，其特征在于，包括依次的如下步骤：I将碳化硅衬底进行前处理；II采用分子束外延设备于所述碳化硅衬底上形成第一碳化硅缓冲层；III置于化学气相沉积设备的外延炉中，先于1000～1400℃下进行热处理，再升高温度进行气相沉积以于所述第一碳化硅缓冲层上形成第二碳化硅缓冲层；IV于所述第二碳化硅缓冲层上外延生长出预定厚度的外延层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东天域半导体股份有限公司 碳化硅外延片的生长工艺
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