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申请/专利权人：住友电气工业株式会社
申请日：2019-08-08
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN112335057B
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;C23C16/30;C23C16/42;C30B25/20;C30B29/36;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/161;H01L29/861;H01L29/868
优先权：["20181204 JP 2018-227550"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2021.02.26#实质审查的生效;2021.02.05#公开
摘要：碳化硅外延层包括第一碳化硅层、第二碳化硅层、第三碳化硅层以及第四碳化硅层。第二碳化硅层的氮浓度随着从第一碳化硅层朝向第三碳化硅层而增加。从第三碳化硅层的氮浓度减去第一碳化硅层的氮浓度而得到的值除以第二碳化硅层的厚度所得的值为6×1023cm‑4以下。在将第三碳化硅层的氮浓度设为Ncm‑3、将第三碳化硅层的厚度设为Xμm的情况下，X和N满足数学式1。
主权项：1.一种碳化硅外延衬底，具备：4H多型的碳化硅衬底，包含基面位错；以及4H多型的碳化硅外延层，设置在所述碳化硅衬底上，所述碳化硅外延层包括：第一碳化硅层，设置在所述碳化硅衬底上；第二碳化硅层，设置在所述第一碳化硅层上；第三碳化硅层，设置在所述第二碳化硅层上；第四碳化硅层，设置在所述第三碳化硅层上且构成主表面；以及第五碳化硅层，设置在所述第三碳化硅层上，所述第四碳化硅层隔着所述第五碳化硅层设置在所述第三碳化硅层上，所述主表面相对于{0001}面以大于0°且为6°以下的角度倾斜，所述第一碳化硅层、所述第二碳化硅层、所述第三碳化硅层、所述第五碳化硅层以及所述第四碳化硅层中的各碳化硅层包含氮，所述第二碳化硅层的氮浓度随着从所述第一碳化硅层朝向所述第三碳化硅层而增加，所述第五碳化硅层的氮浓度随着从所述第三碳化硅层朝向所述第四碳化硅层而减少，所述第五碳化硅层的氮浓度梯度的绝对值大于所述第二碳化硅层的氮浓度梯度的绝对值，从所述第三碳化硅层的氮浓度减去所述第一碳化硅层的氮浓度而得到的值除以所述第二碳化硅层的厚度所得的值为6×1023cm-4以下，在将所述第三碳化硅层的氮浓度设为Ncm-3、将所述第三碳化硅层的厚度设为Xμm的情况下，X和N满足数学式1：
全文数据：
权利要求：
百度查询： 住友电气工业株式会社 碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件
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