龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：美光科技公司
申请日：2023-12-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263094A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02;H01L21/78;H01L29/06
优先权：["20221228 US 63/435,772"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本公开涉及具有牺牲环的半导体衬底。所述半导体衬底包含中心部分及外围部分。所述半导体衬底进一步包含安置在所述半导体衬底的前侧处且至少部分地延伸穿过所述半导体衬底的牺牲材料环。所述牺牲材料环在所述前侧处将所述衬底的所述中心部分与所述衬底的所述外围部分分开。所述半导体衬底能够经减薄以暴露所述牺牲材料环且将所述外围部分与所述中心部分断开。这样做时，所述经减薄衬底能够具有没有锋利边缘的平坦衬底边缘，由此提高其机械强度。
主权项：1.一种用于制造半导体装置组合件的方法，其包括：提供半导体晶片，所述半导体晶片包含安置在所述半导体晶片的前侧处且至少部分地延伸到所述半导体晶片中的牺牲材料环；在所述半导体晶片的所述前侧处安置电路系统以实施多个半导体裸片；在与所述前侧相对的背侧处减薄所述半导体晶片以有效地暴露所述牺牲材料环且移除将所述半导体晶片的中心部分连接到所述半导体晶片的外围部分的所述半导体晶片的一部分；及将所述外围部分与所述中心部分断开以有效地从所述半导体晶片移除所述外围部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 具有牺牲环的半导体衬底
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号