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申请/专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日：2024-03-14
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118239446A
主分类号：B81C1/00
分类号：B81C1/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：一种在MEMS结构中起到支撑作用的牺牲层材料的刻蚀工艺包括步骤：提供待刻蚀的复合膜层，复合膜层包括从下往上的硅衬底、介质层以及聚酰亚胺层；在聚酰亚胺层设置图案化的光刻胶以形成沟槽，以使沟槽露出用于形成孔的部分的聚酰亚胺层而孔周围的聚酰亚胺层覆盖有光刻胶；主刻蚀，采用He、CF4、CHF3以及O2的刻蚀气体沿沟槽进行刻蚀，结束时，沿沟槽刻蚀的聚酰亚胺层在介质层上有残留；过刻蚀，采用N2和O2的刻蚀气体继续沿沟槽进行刻蚀，将残留的聚酰亚胺层刻蚀干净并露出介质层；S5，将残留的光刻胶去除，以使与沟道对应的部分形成孔；沿着孔以及孔顶部周围的聚酰亚胺层上生长一层覆盖层，覆盖层的顶部到侧壁为弧形且覆盖层的侧壁与底壁的夹角为80‑86.5°。
主权项：1.一种在MEMS结构中起到支撑作用的牺牲层材料的刻蚀工艺，其特征在于，包括步骤：S1，提供待刻蚀的复合膜层，复合膜层包括从下往上依次设置的硅衬底、介质层以及聚酰亚胺层；S2，在聚酰亚胺层设置图案化的光刻胶以形成沟槽，以使沟槽露出用于形成孔的部分的聚酰亚胺层而孔周围的聚酰亚胺层覆盖有光刻胶；S3，主刻蚀，采用He、CF4、CHF3以及O2的刻蚀气体沿沟槽进行刻蚀，结束时，沿沟槽刻蚀的聚酰亚胺层在介质层上有残留；S4，过刻蚀，采用N2和O2的刻蚀气体继续沿沟槽进行刻蚀，将残留的聚酰亚胺层刻蚀干净并露出介质层；S5，将残留的光刻胶去除，以使与沟道对应的部分形成孔；S6，沿着孔以及孔顶部周围的聚酰亚胺层上生长一层覆盖层，其中，覆盖层的顶部到侧壁为弧形且覆盖层的侧壁与底壁的夹角为80-86.5°。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽光智科技有限公司 在MEMS结构中起到支撑作用的牺牲层材料的刻蚀工艺
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