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申请/专利权人：株式会社国际电气
申请日：2023-10-07
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263093A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02;H01L21/67
优先权：["20221228 JP 2022-212435"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质。课题在于提供能够提高形成于衬底上的膜的特性的技术。具有：a通过向设为第1温度的衬底供给含元素X气体，从而在前述衬底的表面上形成包含被前述元素X封端的表面的层的工序；b通过向设为第2温度的前述衬底供给含元素Y气体，从而使前述层的表面中的由前述元素X形成的封端变化为由前述元素Y形成的封端的工序；c通过使前述衬底为第3温度，从而使构成前述层的表面中的由前述元素Y形成的封端的前述元素Y脱离的工序；和d通过向设为第4温度的前述衬底供给成膜气体，从而在脱离了前述元素Y的前述层上形成膜的工序。
主权项：1.衬底处理方法，其具有：a通过向设为第1温度的衬底供给含元素X气体，从而在所述衬底的表面上形成包含被所述元素X封端的表面的层的工序；b通过向设为第2温度的所述衬底供给含元素Y气体，从而使所述层的表面中的由所述元素X形成的封端变化为由所述元素Y形成的封端的工序；c通过使所述衬底为第3温度，从而使构成所述层的表面中的由所述元素Y形成的封端的所述元素Y脱离的工序；和d通过向设为第4温度的所述衬底供给成膜气体，从而在脱离了所述元素Y的所述层上形成膜的工序。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社国际电气 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质
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