龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：广东芯聚能半导体有限公司
申请日：2024-03-29
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263326A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请涉及一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，碳化硅MOSFET器件包括衬底、第一掺杂区、栅极沟槽、控制栅结构和分裂栅结构，第一掺杂区设置于衬底内；栅极沟槽设置于第一掺杂区内，且从衬底的正面开口并沿衬底的厚度方向延伸，栅极沟槽包括第一子沟槽和第二子沟槽，第二子沟槽位于第一子沟槽背离衬底的正面的一侧；控制栅结构设置于第一子沟槽内，控制栅结构包括控制栅导电层和控制栅介质层，控制栅介质层位于控制栅导电层与第一子沟槽的槽壁之间；分裂栅结构设置于第二子沟槽内，分裂栅结构包括分裂栅导电层和分裂栅介质层，分裂栅介质层包覆分裂栅导电层；控制栅介质层的介电常数和分裂栅介质层的介电常数不同。
主权项：1.一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括：衬底；第一掺杂区，设置于所述衬底内；栅极沟槽，设置于所述第一掺杂区内，且从所述衬底的正面开口并沿所述衬底的厚度方向延伸，所述栅极沟槽包括第一子沟槽和第二子沟槽，所述第二子沟槽位于所述第一子沟槽背离所述衬底的正面的一侧；控制栅结构，设置于所述第一子沟槽内，所述控制栅结构包括控制栅导电层和控制栅介质层，所述控制栅介质层位于所述控制栅导电层与所述第一子沟槽的槽壁之间；分裂栅结构，设置于所述第二子沟槽内，所述分裂栅结构包括分裂栅导电层和分裂栅介质层，所述分裂栅介质层包覆所述分裂栅导电层；所述控制栅介质层的介电常数和所述分裂栅介质层的介电常数不同；体区，设置于所述第一掺杂区内且位于所述控制栅介质层远离所述控制栅导电层的一侧；源区，设置于所述体区内；漏区，设置于所述衬底内，且位于所述第一掺杂区远离所述衬底的正面的一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东芯聚能半导体有限公司 碳化硅MOSFET器件及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号