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申请/专利权人：深圳真茂佳半导体有限公司
申请日：2024-03-04
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263320A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请公开了一种MOSFET器件结构及其制作方法，涉及半导体晶体管的技术领域，包括外延结构、栅极和源极金属层，外延结构中定义有有源层，有源层上形成有若干沟槽，沟槽贯穿有源层，且使沟槽的底部沉于外延结构中；栅极设置于沟槽内，栅极包括位于沟槽内的纵向栅和位于有源层上方的横向栅，横向栅从纵向栅顶部向沟槽两侧延伸；其中，基于横向栅的图形，有源层在相邻两个横向栅端面之间形成有第一重掺杂区，并且第一重掺杂区中部向下刻蚀形成有接触孔，接触孔贯穿第一重掺杂区且使接触孔的底部沉于有源层中；源极金属层覆盖于有源层上方，并延伸填充于接触孔，源极金属层在接触孔与第一重掺杂区的侧端面电导通。本申请使得MOSFET器件既存在宽的高压安全区，又在导通时保持低导通电阻。
主权项：1.一种MOSFET器件结构，其特征在于，包括：外延结构（10），所述外延结构（10）中定义有有源层（20），所述有源层（20）上形成有若干沟槽（21），所述沟槽（21）贯穿所述有源层（20），且使所述沟槽（21）的底部沉于所述外延结构（10）中；栅极（30），设置于所述沟槽（21）内，所述栅极（30）包括位于沟槽（21）内的纵向栅（32）和位于有源层（20）上方的横向栅（31），所述横向栅（31）从所述纵向栅（32）顶部向所述沟槽（21）两侧延伸；其中，基于所述横向栅（31）的图形，所述有源层（20）在相邻两个横向栅（31）端面之间形成有第一重掺杂区（50），并且第一重掺杂区（50）中部向下刻蚀形成有接触孔（22），所述接触孔（22）贯穿所述第一重掺杂区（50）且使所述接触孔（22）的底部沉于所述有源层（20）中；源极金属层（80），覆盖于所述有源层（20）上方，并延伸填充于所述接触孔（22），所述源极金属层（80）在所述接触孔（22）与所述第一重掺杂区（50）的侧端面电导通。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳真茂佳半导体有限公司 一种MOSFET器件结构及其制作方法
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