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申请/专利权人：南京理工大学
申请日：2024-03-11
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118261091A
主分类号：G06F30/3308
分类号：G06F30/3308;G06F17/11;G06F111/10
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种硅基MOSFET总剂量效应分析方法及系统，该方法利用运动粒子与深浅能级陷阱的动力学反应来描述硅基MOSFET中氧化层正固定电荷与界面态陷阱电荷的产生过程，建立了硅基MOSFET总剂量效应物理模型，采用时域谱元法数值求解硅基MOSFET在太空辐照下的瞬时载流子浓度和电势分布，得出当前时刻的漏极电流和器件阈值电压。本发明对硅基MOSFET器件的抗辐照加固研究具有重要的现实意义。
主权项：1.一种硅基MOSFET总剂量效应分析方法，其特征在于，利用运动粒子与深浅能级陷阱的动力学反应来描述硅基MOSFET中氧化层正固定电荷与界面态陷阱电荷的产生过程，建立MOSFET总剂量效应模型，采用时域谱元法数值、利用牛顿迭代法求解方程求解MOSFET总剂量效应模型得到硅基MOSFET在太空辐照下的瞬时载流子电子、空穴、质子浓度和电势，进而得出当前时刻的漏极电流和器件阈值电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京理工大学 一种硅基MOSFET总剂量效应分析方法及系统
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