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基于垂直场效应调控的有机钙钛矿叠层器件及制备方法 

申请/专利权人:浙江大学

申请日:2024-03-27

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN118265312A

主分类号:H10K30/15

分类号:H10K30/15;H10K30/82;H10K71/12;H10K71/15

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.28#公开

摘要:本发明公开了基于垂直场效应调控的有机钙钛矿叠层器件及制备方法。所述器件由垂直场效应晶体管与有机‑钙钛矿叠层光电器件堆叠而成,由下到上依次为:栅极、介电层、阴极、电子传输层、钙钛矿层、复合层、有机活性层、空穴传输层、阳极。所述栅极位于衬底之上,为金属氧化物、超薄金属或导电有机材料PEDOT:PSS。该器件可以利用外加垂直电场对器件中的载流子分离及传输行为进行有效调控,为减小光电器件内能量损失、提高器件性能提供了一种新的方法。且所述基于垂直场效应调控的有机钙钛矿叠层器件具有多功能性,可用于制备高响应度、高探测率的宽光谱光电探测器、高性能光电晶体管及高效率的叠层太阳能电池。

主权项:1.基于垂直场效应调控的有机钙钛矿叠层器件,其特征在于:该器件可以产生一个由栅极控制,且与叠层光电器件内建电场方向一致的栅极电场;所述器件由下至上依次为:栅极、介电层、阴极、电子传输层、钙钛矿层、复合层、有机活性层、空穴传输层和阳极。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 浙江大学 基于垂直场效应调控的有机钙钛矿叠层器件及制备方法

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