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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日：2024-03-20
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118246301A
主分类号：G06F30/25
分类号：G06F30/25;G11C11/412;G11C11/417
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开SRAM总剂量与单粒子协同效应仿真方法、装置及设备，涉及半导体领域，用于解决现有技术中仿真过程繁琐且仿真精度低的问题。包括：建立SRAM单管的TCAD模型；在TCAD模型中添加总剂量效应模型，得到目标TCAD模型；基于目标TCAD模型进行单管单粒子仿真，确定单管粒子的最敏感点；在SRAM六管单元的每个单管的最敏感点入射重离子模型，并进行六管SRAM单元总剂量与单粒子协同效应仿真。本发明省去将TCAD模型等效为SPICE模型与将单粒子模型等效为电流源模型的等效步骤，使仿真更加简便。在TCAD仿真软件中进行总剂量与单粒子效应的仿真可以精确反应两种辐射效应的协同作用。
主权项：1.SRAM总剂量与单粒子协同效应仿真方法，其特征在于，方法包括：建立SRAM单管的TCAD模型；所述单管包括NMOS单管与PMOS单管，所述单管对应的TCAD模型的输出特性与实际单管的输出特性之间的相似度满足预设阈值；在所述TCAD模型中添加总剂量效应模型，得到目标TCAD模型；所述总剂量效应模型具有不同总剂量效应；基于所述目标TCAD模型进行单管单粒子仿真，确定单管粒子的最敏感点；在SRAM六管单元的每个单管的最敏感点入射重离子模型，并进行六管SRAM单元总剂量与单粒子协同效应仿真。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 SRAM总剂量与单粒子协同效应仿真方法、装置及设备
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