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申请/专利权人：重庆邮电大学
申请日：2024-03-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263321A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/16
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明涉及一种集成沟道二极管和肖特基二极管结构的SiC‑MOSFET器件及制备方法，属于半导体器件技术领域。该器件集成的沟道二极管由虚拟栅、N‑区、N‑drift区、N+衬底区以及栅氧化层组成，其中N‑区作为漏极，N+衬底区作为源极，虚拟栅作为栅极，形成沟道二极管。通过在低掺杂的N‑区上淀积金属形成肖特基结，并且可以通过改变肖特基结长度来改变虚拟栅的作用。该器件在反向恢复时，体二极管被沟道二极管与肖特基二极管抑制，大幅降低了寄生PN结二极管空穴的注入，消除SiC‑MOSFET的双极退化效应，同时虚拟栅的引入可以有效减少电极间电容耦合，使反馈电容和栅极电荷大大降低。
主权项：1.一种集成沟道二极管与肖特基二极管的SiC-MOSFET器件，其特征在于：该器件包括：N+衬底区10；漂移区9，位于所述N+衬底区10表面；N-CSL7，位于所述漂移区9表面；源极P+区8，位于所述漂移区9表面，且位于所述N-CSL7两侧；氧化层6，位于所述N-CSL7中；P-body2，位于所述N-CSL7表面；源极N+区1，位于所述P-body2表面；N-区5，位于所述N-CSL7表面；沟槽栅极3，位于所述氧化层6中，通过所述氧化层6与所述源极N+区1、P-body2和N-CSL7相隔；虚拟栅4，位于所述氧化层6，通过所述氧化层6与所述沟槽栅极3、N-区5和N-CSL7相隔；以及肖特基结11，位于所述N-区5表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆邮电大学 集成沟道二极管与肖特基二极管的SiC-MOSFET器件及制备方法
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