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申请/专利权人：南通华隆微电子股份有限公司
申请日：2024-05-22
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213274A
主分类号：H01L21/329
分类号：H01L21/329;H01L21/67
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管的制备方法及系统，涉及风电机组监测技术领域，所述方法包括：确定半导体衬底的待沉积区；在待沉积区进行金属镀膜，得到金属薄膜；采集金属薄膜的表面扫描图像，对表面扫描图像进行特征识别，获取薄膜颗粒均匀度、薄膜结构致密性和薄膜灰度边界值；输出金属薄膜的成膜评估质量；根据肖特基二极管的使用需求，确定预设肖特基势垒高度；建立成膜质量样本与肖特基势垒高度样本的映射关系对成膜评估质量进行预测，获取预测肖特基势垒高度；当预测肖特基势垒高度满足预设肖特基势垒高度时，在金属薄膜上制备得到肖特基二极管。达成提高出品质量，降低制备成本的技术效果。
主权项：1.一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：确定半导体衬底的待沉积区，其中，所述半导体衬底包括有源区和漏极区，所述待沉积区为所述有源区和所述漏极区之间的区域；在所述待沉积区进行金属镀膜，得到金属薄膜；采集所述金属薄膜的表面扫描图像，对所述表面扫描图像进行特征识别，获取薄膜颗粒均匀度、薄膜结构致密性和薄膜灰度边界值；利用所述薄膜颗粒均匀度、薄膜结构致密性和薄膜灰度边界值，输出所述金属薄膜的成膜评估质量；根据肖特基二极管的使用需求，确定预设肖特基势垒高度；建立成膜质量样本与肖特基势垒高度样本的映射关系，利用所述映射关系对所述成膜评估质量进行预测，获取预测肖特基势垒高度；当所述预测肖特基势垒高度满足所述预设肖特基势垒高度时，在所述金属薄膜上制备得到肖特基二极管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南通华隆微电子股份有限公司 一种肖特基二极管的制备方法及系统
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