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申请/专利权人：重庆大学
申请日：2022-03-28
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN114709259B
主分类号：H01L29/47
分类号：H01L29/47;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/739
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2022.07.22#实质审查的生效;2022.07.05#公开
摘要：本发明公开一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的横向绝缘栅双极型晶体管，包括自下而上依次层叠设置的衬底区、有源区和表面功能区；本发明在阳极侧集成肖特基势垒栅，并延申到器件内部的N缓冲区形成肖特基接触。当器件从导通态转变至关断态时，阳极加在辅助栅上的电压使得阳极侧打开一条额外的电子提取通路，过剩载流子的复合时间大大缩短，从而提升器件关断时的速度，降低关断损耗。正向导通时，通过调整阳极结构，使得阳极侧的电子提取通路在阳极P+开始向N区注入空穴后开启，可以解决正向导通时的负阻效应，从而实现无正向折回现象。
主权项：1.一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括自下而上依次层叠设置的衬底区、有源区和表面功能区；所述有源区覆盖于衬底区之上；所述表面功能区位于有源区部分区域之上；所述表面功能区包括位于两端的阴极结构14和阳极结构15，以及位于中间的栅极结构16；所述阳极结构15包括N缓冲区9、P+阳极区10、阳极接触区11和肖特基超势垒辅助栅结构；所述N缓冲区9位于有源区部分之上；所述P+阳极区10和肖特基超势垒辅助栅结构分别位于N缓冲区9之上；所述P+阳极区10位于栅极结构16和肖特基超势垒辅助栅结构之间；所述阳极接触区11位于P+阳极区10之上；所述肖特基超势垒辅助栅结构包括肖特基超势垒辅助栅接触区13、肖特基超势垒辅助栅多晶硅层91和肖特基超势垒辅助栅绝缘介质层92；所述肖特基超势垒辅助栅绝缘介质层92覆盖于N缓冲区9部分区域之上；所述肖特基超势垒辅助栅多晶硅层91覆盖于肖特基超势垒辅助栅绝缘介质层92之上；所述肖特基超势垒辅助栅接触区13覆盖于肖特基超势垒辅助栅多晶硅层91之上；所述肖特基超势垒辅助栅接触区13还覆盖于N缓冲区9部分区域之上；所述肖特基超势垒辅助栅接触区13还与肖特基超势垒辅助栅多晶硅层91和肖特基超势垒辅助栅绝缘介质层92的一边侧壁接触；所述阳极接触区11和肖特基超势垒辅助栅接触区13共同引出阳极结构15。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆大学 一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的横向绝缘栅双极型晶体管
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