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申请/专利权人：福州大学
申请日：2024-03-14
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118173617A
主分类号：H01L29/872
分类号：H01L29/872;H01L21/329;H01L29/40;C23C14/24;C23C14/34
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要：本发明提出降低表面场技术实现的耐压氧化镓横向肖特基势垒二极管，包括自下而上设置的衬底（1）、N型氧化镓外延层（2）、P型氧化镍层（3）、第一介质层（4）、第二介质层（5）；第二介质层旁设有带阳极阶梯场板层的阳极（6）、带阴极场板层的阴极（7）；阴极下方为高掺杂N型氧化镓区域（8）；P型氧化镍层与阳极短接以增大P‑NiON‑Ga2O3结间电势差，促进结间的相互耗尽以均衡电场，提高N‑Ga2O3载流子浓度；所述阴极、阳极的金属延伸形成双金属场板，并在阳极侧刻蚀不同宽度的第一介质层与第二介质层形成阳极阶梯场板层以抑制阴、阳极两侧的N型氧化镓外延层表面电场峰值；本发明可以凭借更低的导通电阻，承受更高的反向击穿电压。
主权项：1.降低表面场技术实现的耐压氧化镓横向肖特基势垒二极管，其特征在于：包括自下而上设置的衬底（1）、N型氧化镓外延层（2）、P型氧化镍层（3）、第一介质层（4）、第二介质层（5）；第二介质层旁设有带阳极阶梯场板层的阳极（6）、带阴极场板层的阴极（7）；阴极下方为高掺杂N型氧化镓区域（8）；P型氧化镍层与阳极短接以增大P-NiON-Ga2O3结间电势差，促进结间的相互耗尽以均衡电场，提高N-Ga2O3载流子浓度；所述阴极、阳极的金属延伸形成双金属场板，并在阳极侧刻蚀不同宽度的第一介质层与第二介质层形成阳极阶梯场板层以抑制阴、阳极两侧的N型氧化镓外延层表面电场峰值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福州大学 降低表面场技术实现的耐压氧化镓横向肖特基势垒二极管
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