申请/专利权人：浙江康鹏半导体有限公司

申请日：2024-04-12

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN118028980B

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;C30B29/42;H01L21/67;G01K7/22;G01K7/42;C30B35/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.21#授权;2024.05.31#实质审查的生效;2024.05.14#公开

摘要：本发明涉及数据处理技术领域，具体涉及一种用于砷化镓半导体生长的智能化温度监测方法，包括：获取温度信号曲线及生长速率的拟合曲线；获得温度信号中噪声强度的基本估测值；获得生长末期阶段温度信号中每条分量信号的温度变化周期性；得到每条分量信号中每个局部信号段的异常权重；获得生长末期阶段温度信号中每个局部信号段内的滤波强度值；根据生长末期阶段温度信号中每个局部信号段内的滤波强度值，以及温度信号中噪声强度的基本估测值，获得除噪后的温度信号数据，对砷化镓半导体的生长进行智能化温度监测。本发明旨在解决砷化镓半导体生长过程中温度信号受噪声影响导致监测不准确的问题。

主权项：1.一种用于砷化镓半导体生长的智能化温度监测方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：获取温度信号曲线及生长速率的拟合曲线；根据温度信号曲线及生长速率的拟合曲线的时序变化，获得温度信号中噪声强度的基本估测值；根据温度信号中噪声强度的基本估测值，获得生长末期阶段温度信号中每条分量信号的温度变化周期性；根据生长末期阶段温度信号中每条分量信号的温度变化周期性，得到每条分量信号中每个局部信号段的异常权重；根据每条分量信号中每个局部信号段的异常权重，获得生长末期阶段温度信号中每个局部信号段内的滤波强度值；根据生长末期阶段温度信号中每个局部信号段内的滤波强度值，以及温度信号中噪声强度的基本估测值，获得除噪后的温度信号数据，对砷化镓半导体的生长进行智能化温度监测；所述获得温度信号中噪声强度的基本估测值，包括的具体方法为：将温度信号曲线记为曲线，将拟合曲线记为曲线；对曲线进行求导，将导数函数取零，得到若干疑似拐点及其横坐标，对曲线进行二次求导，将任意一个疑似拐点的横坐标带入二次求导函数中，当二阶导数小于零时，标记该疑似拐点为拐点，当二阶导数大于或等于零时，该疑似拐点不是拐点，得到拐点的位置，将第一个拐点与曲线初始的位置之间的时间段记为砷化镓半导体的生长初期阶段，将生长初期阶段曲线与曲线的纵坐标分别进行线性归一化，则温度信号中噪声强度的基本估测值的计算公式如下： 其中，表示温度信号中的噪声强度的基本估测值，表示时序点的数量，表示曲线归一化后第个时序点的值，表示曲线归一化后第个时序点的值，表示生长初期阶段中曲线的斜率方差，表示生长初期阶段中曲线的斜率方差，表示绝对值函数；所述得到每条分量信号中每个局部信号段的异常权重，包括的具体方法为： 其中，表示第个分量信号中第个局部信号段的异常权重，表示生长末期阶段温度信号中第条分量信号的温度变化周期性，表示的是曲线中第个时间段中所有点的平均斜率，表示曲线中所有点的平均斜率，表示第条分量信号中第个局部信号段内温度信号值的最大值，表示分量信号的数量，表示的是第条分量信号中第个局部信号段内温度信号值的最大值，表示绝对值函数，表示双曲正切函数；所述获得生长末期阶段温度信号中每个局部信号段内的滤波强度值，包括的具体方法为： 其中，表示生长末期阶段温度信号中的第个局部信号段内的滤波强度值，表示第条分量信号中第个局部信号段的异常权重，表示分量信号的数量，表示温度信号中噪声强度的基本估测值。

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权利要求：

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