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申请/专利权人：法国原子能源和替代能源委员会
申请日：2023-12-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231532A
主分类号：H01L33/00
分类号：H01L33/00;H01L33/20;H01L27/15
优先权：["20221221 FR FR2214167"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：用于制造生长衬底20的方法。在该方法方法中，该生长衬底适于通过外延产生基于InGaN的二极管D1、D2、D3的矩阵，该方法包括以下步骤：从导电缓冲层11制造晶体堆叠10，该晶体堆叠10包括：基于掺杂GaN的下层12；然后是基于InGaN的分离中间层13；然后是基于AlGaN的上层14；通过晶体堆叠10的局部蚀刻产生三个类别M1、M2、M3的台面；通过蚀刻去除至少台面M3的上部部分24，保留台面M1的上部部分24；然后，对仅台面M1和台面M3的下部部分22进行非光辅助电化学多孔化，台面M2的下部部分22未被多孔化。
主权项：1.用于制造生长衬底20的方法，所述生长衬底20适于通过外延产生基于InGaN的二极管D1、D2、D3的矩阵，所述方法包括以下步骤：从基于掺杂GaN产生的导电缓冲层11产生基于GaN的晶体堆叠10，所述基于GaN的晶体堆叠10包括：·基于掺杂GaN的下层12；然后·基于InGaN的分离中间层13；然后·基于AlGaN的上层14；通过所述晶体堆叠10的局部蚀刻产生三种类别M1、M2、M3的台面，然后每个台面由具有分别来自所述下层12、来自所述分离中间层13以及来自所述上层14的下部部分22、分离中间部分23和上部部分24的堆叠形成；通过蚀刻去除至少台面M3的所述上部部分24，保留台面M1的所述上部部分24；然后对仅所述台面M1和所述台面M3的所述下部部分22进行非光辅助电化学多孔化，台面M2的所述下部部分22未被多孔化。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 法国原子能源和替代能源委员会 用于制造生长衬底的方法
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