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申请/专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日：2023-02-24
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231458A
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778;H01L21/335;H01L29/10
优先权：["20221221 US 18/069,824"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本公开涉及氮化镓超结晶体管。在不增加器件面积的情况下增加GaN晶体管中电流路径或“通道”的数量，从而降低导通电阻的技术。此外，本公开描述了利用背面场管理来提高设备性能的技术。例如，所述技术可以包括使用p型注入到基板中，例如碳化硅SiC，作为场管理工具以形成超结器件，从而增加有效场并减少由输出电荷Qoss倍增的导通电阻。
主权项：1.一种具有多个二维电子气体通道的化合物半导体异质结构晶体管器件，所述化合物半导体异质结晶体管器件包括：基板；形成在所述基板上的第一半导体材料层；第二半导体材料层，形成在所述第一半导体材料上以形成具有掩埋的第一二维电子气2DEG沟道的第一化合物半导体异质结构，其中所述掩埋的第一2DEG沟道比所述第一半导体材料层或所述第二半导体材料层更导电；形成在第四半导体材料层上的第三半导体材料层，其中所述第四半导体材料层形成在所述基板上，以形成具有顶侧第二2DEG沟道的第二化合物半导体异质结构，其中所述顶侧第二2DEG沟道比所述第三半导体材料层或所述第四半导体材料层更导电；漏极电极，电耦合到所述第一半导体层；源极电极，电耦合到所述顶侧第二2DEG沟道；和形成在所述第三半导体材料层上的栅极电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美国亚德诺半导体公司 氮化镓超结晶体管
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