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申请/专利权人：华通芯电(南昌)电子科技有限公司
申请日：2024-05-13
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118222973A
主分类号：C23C14/04
分类号：C23C14/04;C23C14/06;C23C14/35
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供了一种氮化钽薄膜制备方法，所述制备方法包括：提供一衬底；沉积氮化硅层；涂布光刻胶层，对光刻胶层进行曝光和显影定义；将氮化硅层进行刻蚀；使用直流磁控溅射的方式于所述沉积槽内溅射沉积氮化钽薄膜，在溅射过程中在基座底部增加射频源；在光刻胶层上通过贴蓝膜撕金以及清洗的方式，将光刻未定义的氮化钽薄膜及光刻胶层去除，本发明通过在基座下方增加射频源，使氮化钽在沉积过程中具有方向性，减少“悬突”增加底部台阶覆盖能力，同时减小举离结构薄膜沉积底部薄膜的footing，从而实现提升氮化钽薄膜电阻的稳定性。
主权项：1.一种氮化钽薄膜制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上沉积氮化硅层；在所述氮化硅层上涂布光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光和显影定义，以在所述光刻胶层上形成定义图案；使用干法刻蚀对与所述定义图案对应的部分所述氮化硅层进行刻蚀，将所述衬底部分裸露，同时沿所述氮化硅层的长度方向朝两侧进行刻蚀，以在所述氮化硅层上形成用于沉积氮化钽薄膜的沉积槽；使用直流磁控溅射的方式于所述沉积槽内溅射沉积氮化钽薄膜，在溅射过程中在基座底部增加射频源，通过射频源产生的负偏压吸引沉积过程中的金属钽离子朝向所述衬底方向垂直运动；在所述光刻胶层上通过贴蓝膜撕金以及清洗的方式，将光刻未定义的氮化钽薄膜及光刻胶层去除。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华通芯电(南昌)电子科技有限公司 一种氮化钽薄膜制备方法
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