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申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日：2024-03-25
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN117976520B
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02;H01L21/311;H01L21/762;B08B3/02
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：本申请提供了一种氮化硅清洗方法及半导体器件，涉及半导体制备技术领域，解决了相关技术中对氮化硅层的刻蚀难度增大且在刻蚀过程中阶梯高度难以控制的问题，本方案能够通过两次清洗并控制每次清洗的时长，从而在清洗半导体器件的氮化硅层的同时，还能够控制STI工艺所形成的氧化硅层厚度，使得半导体器件具有更好的器件结构和性能。
主权项：1.一种氮化硅清洗方法，其特征在于，包括：在经过STI工艺的高温退火处理后，基于湿法刻蚀工艺，以氢氟酸溶液对半导体器件上经过高温退火处理的氮化硅层进行第一次清洗；在对所述氮化硅层进行第一次清洗的时长达到第一清洗时长的情况下，停止第一次清洗并冲洗所述半导体器件以去除所述氢氟酸溶液；基于湿法刻蚀工艺，以磷酸溶液对所述氮化硅层进行第二次清洗；在对所述氮化硅层进行第二次清洗的时长达到第二清洗时长的情况下，停止第二次刻蚀并冲洗所述半导体器件以去除所述磷酸溶液；其中，所述在经过STI工艺的高温退火处理后，基于湿法刻蚀工艺，以氢氟酸溶液对半导体器件上经过高温退火处理的氮化硅层进行第一次清洗包括：根据所述氢氟酸溶液对所述半导体器件上的氧化硅层的第一刻蚀速率、所述氧化硅层对应的目标刻蚀量、所述磷酸溶液对所述氧化硅层的第二刻蚀速率以及所述第二清洗时长，确定对应使用所述氢氟酸溶液的第一清洗时长；基于所述第一清洗时长，使用所述氢氟酸溶液对所述半导体器件进行第一次清洗；所述根据所述氢氟酸溶液对所述半导体器件上的氧化硅层的第一刻蚀速率、所述氧化硅层对应的目标刻蚀量、所述磷酸溶液对所述氧化硅层的第二刻蚀速率以及所述第二清洗时长，确定对应使用所述氢氟酸溶液的第一清洗时长，包括： 其中，THF为所述第一清洗时长，Thkloss为所述目标刻蚀量，TH3PO4为所述第二清洗时长，Y3为所述第一刻蚀速率，Y为所述第二刻蚀速率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 氮化硅清洗方法及半导体器件
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