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申请/专利权人：苏州东微半导体股份有限公司
申请日：2022-12-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231464A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件，包括：n型半导体层；位于所述n型半导体层内的多个p型柱；位于所述n型半导体层内且位于所述p型柱顶部的p型体区；位于所述p型体区内的n型源区；位于所述p型体区内的钳位栅，所述钳位栅通过第一栅介质层与所述p型体区隔离；与所述n型源区和所述钳位栅电性连接的源极金属层，所述源极金属层与所述p型体区之间形成p‑n结二极管结构；位于所述n型半导体层之上的控制所述p型体区内的电流沟道的开启和关断的栅极结构。
主权项：1.半导体超结功率器件，其特征在于，包括：n型半导体层；位于所述n型半导体层内的多个p型柱；位于所述n型半导体层内且位于所述p型柱顶部的p型体区；位于所述p型体区内的n型源区；位于所述p型体区内的钳位栅，所述钳位栅通过第一栅介质层与所述p型体区隔离；与所述n型源区和所述钳位栅电性连接的源极金属层，所述源极金属层与所述p型体区之间形成p-n结二极管结构；位于所述n型半导体层之上的控制所述p型体区内的电流沟道的开启和关断的栅极结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州东微半导体股份有限公司 半导体超结功率器件
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