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申请/专利权人：芯联集成电路制造股份有限公司
摘要：本发明提供了一种沟槽栅晶体管，包括：基底，所述基底具有沿第一方向依次间隔排布的多个栅极沟槽，各所述栅极沟槽沿第二方向延伸设置，所述第二方向正交于所述第一方向；栅极结构，各所述栅极沟槽均通过一所述栅极结构填充；第一电场屏蔽结构，对应于各所述栅极沟槽分别沿所述第二方向间隔设置有多个所述第一电场屏蔽结构，每个所述第一电场屏蔽结构沿所述第一方向延伸设置，用于减小相应所述栅极沟槽底部的电场强度，相邻两个所述栅极沟槽对应设置的所述第一电场屏蔽结构在所述第二方向上交替间隔排布。本发明提供的沟槽栅晶体管，可提高沟槽底部在相邻两个电场屏蔽结构中间位置的电场均匀性，避免在该中间位置形成电场集中而导致栅氧层被击穿。
主权项：1.一种沟槽栅晶体管，其特征在于，包括：基底，所述基底具有沿第一方向依次间隔排布的多个栅极沟槽，各所述栅极沟槽沿第二方向延伸设置，所述第二方向正交于所述第一方向；栅极结构，各所述栅极沟槽均通过一所述栅极结构填充；第一电场屏蔽结构，对应于各所述栅极沟槽分别沿所述第二方向间隔设置有多个所述第一电场屏蔽结构，每个所述第一电场屏蔽结构沿所述第一方向延伸设置，用于减小相应所述栅极沟槽底部的电场强度，相邻两个所述栅极沟槽对应设置的所述第一电场屏蔽结构在所述第二方向上交替间隔排布。
全文数据：
权利要求：
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