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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：一种晶体管装置，包括：沟道区域；第一源极区域漏极区域和第二源极区域漏极区域，第一源极区域漏极区域与沟道区域的第一端相邻，第二源极区域漏极区域与沟道区域的第二端相邻；栅极结构，栅极结构设置在沟道区域、第一源极区域漏极区域与第二源极区域漏极区域上；以及层间介电ILD结构，ILD结构设置在栅极结构上。ILD结构包括：第一介电层，第一介电层包括第一组子层。第一组子层包括第一子层和第二子层，第一子层包括具有第一氢浓度的第一介电材料，第二子层包括具有第二氢浓度的第一介电材料，第二氢浓度低于第一氢浓度。ILD结构进一步包括第二介电层，第二介电层包括第二组子层。第二组子层包括第三子层，第三子层包括不同于第一介电材料的第二介电材料。
主权项：1.一种晶体管装置，包括：沟道区域；第一源极区域漏极区域和第二源极区域漏极区域，所述第一源极区域漏极区域与所述沟道区域的第一端相邻，所述第二源极区域漏极区域与所述沟道区域的第二端相邻；栅极结构，所述栅极结构设置在所述沟道区域、所述第一源极区域漏极区域和所述第二源极区域漏极区域上；以及层间介电ILD结构，所述ILD结构设置在所述栅极结构上，所述ILD结构包括：第一介电层，所述第一介电层包括第一组子层，所述第一组子层包括第一子层和第二子层，所述第一子层包括具有第一氢浓度的第一介电材料，所述第二子层包括具有第二氢浓度的所述第一介电材料，所述第二氢浓度低于所述第一氢浓度；以及第二介电层，所述第二介电层包括第二组子层，所述第二组子层包括第三子层，所述第三子层包括不同于所述第一介电材料的第二介电材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 具有多层层间介电结构的晶体管装置
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