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申请/专利权人：豪威科技股份有限公司
摘要：本申请涉及用于CMOS图像传感器的深沟槽隔离结构及其方法。一种像素包含具有第一侧及第二侧的半导体衬底。从所述第一侧延伸出第一深沟槽隔离DTI结构及第二DTI结构。所述第一DTI结构包含宽部分及从所述宽部分延伸的窄部分。所述宽部分的第一宽度大于所述窄部分的第二宽度，且所述宽部分延伸到第一深度。所述像素进一步包含在所述第一DTI结构与所述第二DTI结构之间安置于所述半导体衬底中的光电二极管区域。单元深沟槽隔离CDTI结构安置于所述第一DTI结构的所述宽部分与所述第二DTI结构之间。所述CDTI结构延伸到第二深度。所述第一深度及所述第二深度从所述半导体衬底的所述第一侧延伸基本上相等的距离。
主权项：1.一种像素，其包括：半导体衬底，其包含第一侧及与所述第一侧相对的第二侧；第一深沟槽隔离DTI结构及第二DTI结构，其各自从所述半导体衬底的所述第一侧朝向所述第二侧延伸，所述第一DTI结构包含宽部分及从所述宽部分延伸的窄部分，使得所述窄部分安置于所述宽部分与所述半导体衬底的所述第二侧之间，其中所述宽部分的第一宽度大于所述窄部分的第二宽度，且其中所述宽部分从所述半导体衬底的所述第一侧延伸到第一深度；光电二极管区域，其在所述第一DTI结构与所述第二DTI结构之间安置于所述半导体衬底中；及单元深沟槽隔离CDTI结构，其在所述第一DTI结构的所述宽部分与所述第二DTI结构之间安置于所述半导体衬底中，其中所述CDTI结构延伸到第二深度，且其中所述第一深度及所述第二深度从所述半导体衬底的所述第一侧延伸基本上相等的距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 豪威科技股份有限公司 用于CMOS图像传感器的深沟槽隔离结构及其方法
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