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具有深沟槽隔离结构的图像传感器像素 

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申请/专利权人:北京弘图半导体有限公司

摘要:公开了一种图像传感器装置,图像传感器装置包括具有多个像素区域的衬底,该图像传感器装置还包括位于第一像素区域中的第一光电二极管、耦接至第一光电二极管的源极跟随晶体管以及耦接至源极跟随晶体管的选择晶体管,源极跟随晶体管和选择晶体管的其中之一位于不同于第一像素区域的第二像素区域中。源极跟随晶体管和选择晶体管可以被设置于不同的像素区域单元中,并且,源极跟随晶体管和或选择晶体管可被进一步拆分设置于不同的像素区域单元中。

主权项:1.一种图像传感器装置,其特征在于,包括:具有多个像素区域的衬底;位于所述多个像素区域中的第一像素区域的第一光电二极管;耦接至所述第一光电二极管的源极跟随晶体管,所述源极跟随晶体管包括位于多个像素区域的多个子晶体管;以及,耦接至所述源极跟随晶体管的选择晶体管,其中,所述源极跟随晶体管和所述选择晶体管的其中之一位于所述多个像素区域中不同于所述第一像素区域的第二像素区域中。

全文数据:

权利要求:

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