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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供一种金属栅结构及其形成方法，提供衬底，衬底中形成有栅氧层，栅氧层上形成有具有若干间隙的多晶硅栅；淀积一层氧化硅层；进行第一次光刻刻蚀工艺，使得覆盖在间隙表面和多晶硅栅侧面的氧化硅层被保留；淀积一层氮化硅层；进行第二次光刻刻蚀工艺，使得覆盖在间隙表面和多晶硅栅侧面的氮化硅层被保留；形成金属硅化物阻挡层；进行第三次光刻刻蚀工艺，使得覆盖在衬底表面的金属硅化物阻挡层被去除；在衬底上形成金属硅化物；利用湿法刻蚀工艺去除覆盖多晶硅栅的金属硅化物阻挡层，保留覆盖间隙的金属硅化物阻挡层。本发明解决了高压器件制程中由于在栅极上开槽导致的栅氧层易受后续制程污染的问题，提升了器件性能和良率。
主权项：1.一种金属栅结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供衬底，所述衬底中形成有栅氧层，所述栅氧层上形成有具有若干间隙的多晶硅栅；步骤二、淀积一层氧化硅层，所述氧化硅层覆盖所述衬底、所述多晶硅栅和所述间隙的表面；步骤三、进行第一次光刻刻蚀工艺，使得覆盖在所述间隙表面和所述多晶硅栅侧面的氧化硅层被保留，在所述多晶硅栅侧面形成第一侧墙，在所述间隙表面形成氧化硅层；步骤四、淀积一层氮化硅层，所述氮化硅层覆盖所述衬底、所述多晶硅栅和所述间隙的表面；步骤五、进行第二次光刻刻蚀工艺，使得覆盖在所述间隙表面和所述多晶硅栅侧面的氮化硅层被保留，在所述多晶硅栅侧面形成第二侧墙，在所述间隙表面形成氮化硅层；由所述第一侧墙和所述第二侧墙共同构成所述多晶硅栅的侧墙结构；步骤六、形成覆盖所述多晶硅栅、所述间隙和所述衬底的金属硅化物阻挡层；步骤七、进行第三次光刻刻蚀工艺，使得覆盖在所述衬底表面的所述金属硅化物阻挡层被去除；步骤八、在所述衬底上形成金属硅化物；步骤九、利用湿法刻蚀工艺去除覆盖所述多晶硅栅的金属硅化物阻挡层，保留覆盖所述间隙的金属硅化物阻挡层，形成覆盖所述间隙的金属硅化物阻挡层。
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权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种金属栅结构及其形成方法
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