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申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司
摘要:本发明涉及一种埋入式位线及其形成方法,埋入式位线形成于衬底内的位线沟槽中,埋入式位线包括:第一位线层,形成于位线沟槽中,且第一位线层的顶部低于衬底的表面第一阻挡层,至少部分形成于第一位线层和位线沟槽的内壁之间;第二位线层,形成于位线沟槽中,用于连通第一位线层和衬底内的漏极区。通过设置埋入式位线,可以有效降低存储器整体的寄生电容,改善数据信息传输的延迟的问题。而且,通过设置第一阻挡层,可以有效防止第一位线层的材料的扩散现象,即防止第一位线层的损伤,以避免第一位线层的导电性能降低、电阻增大的问题,从而进一步降低了埋入式位线的RC延迟,提高了存储器的数据传输速度和可靠性。
主权项:1.一种埋入式位线,形成于衬底内的位线沟槽中,其特征在于,所述埋入式位线包括:第一位线层,形成于所述位线沟槽中,且所述第一位线层的顶部低于所述衬底的表面;第一阻挡层,至少部分形成于所述第一位线层和所述位线沟槽的内壁之间;第二位线层,形成于所述位线沟槽中,用于连通所述第一位线层和所述衬底内的漏极区;第三阻挡层,所述第三阻挡层形成于所述第二位线层与所述第一位线层之间,所述第三阻挡层和所述第一位线层之间形成有接触金属层,所述接触金属层和所述第三阻挡层形成欧姆接触。
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