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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括沿第一方向延伸的有源区，有源区沿第一方向包括器件区、以及位于器件区两侧的伪结构区；栅极结构，位于器件区的基底上；伪栅结构，位于伪结构区的基底上；隔断栅结构，包括位于栅极结构端部且沿第一方向延伸的延伸部、以及位于延伸部两端且沿第二方向延伸的凸出部，延伸部沿第一方向延伸至器件区与伪结构区的交界处、并与栅极结构均相连，凸出部位于延伸部背向栅极结构一侧且延伸至有源区的边界，其中，以有源区中，隔断栅结构与凸出部延伸至的有源区的边界围成的区域为第一区，有源区中剩余区域为第二区；体区位于第一区中；源漏掺杂区位于第二区中。本发明有利于获得较为准确的器件特性参数。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，包括沿第一方向延伸的有源区，所述有源区沿所述第一方向包括器件区、以及位于所述器件区两侧的伪结构区；沿第二方向延伸的一个或多个栅极结构，位于所述器件区的基底上，多个所述栅极结构沿所述第一方向平行排布，所述第二方向垂直于所述第一方向；沿第二方向延伸的多个伪栅结构，位于所述伪结构区的基底上，多个所述伪栅结构沿所述第一方向平行排布；隔断栅结构，包括位于所述栅极结构端部且沿所述第一方向延伸的延伸部、以及位于所述延伸部两端且沿所述第二方向延伸的凸出部，所述延伸部沿所述第一方向延伸至所述器件区与伪结构区的交界处、并与所述栅极结构均相连，所述凸出部位于所述延伸部背向所述栅极结构一侧且延伸至所述有源区的边界，其中，以所述有源区中，所述隔断栅结构与所述凸出部延伸至的所述有源区的边界围成的区域为第一区，所述有源区中剩余区域为第二区；体区，位于所述第一区中；源漏掺杂区，位于所述第二区中。
全文数据：
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百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
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