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申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
摘要：本发明提供一种半导体结构，包括基板、基板上的多个位元线结构、每个位元线结构的侧壁上的间隙物结构、基板上的多个导电结构，以及位元线结构与导电结构之间的介电层。间隙物结构包括内部子间隙物、外部子间隙物，以及内部子间隙物与外部子间隙物之间的气隙。每个导电结构通过位元线结构分隔开来。与位元线结构直接接触的介电层的第一部分具有第一最大高度，与导电结构直接接触的介电层的第二部分具有第二最大高度，以及第一最大高度大于第二最大高度。半导体结构使得较大的气隙可形成在位元线结构的侧壁上以减小寄生电容。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：多个位元线结构在基板上；间隙物结构在所述多个位元线结构中的每一个的多个侧壁上，其中该间隙物结构包括内部子间隙物、外部子间隙物及该内部子间隙物与该外部子间隙物之间的气隙；多个导电结构在该基板上，其中所述多个导电结构中的每一个通过所述多个位元线结构而分隔开来；以及介电层在所述多个位元线结构与所述多个导电结构之间，其中与所述多个位元线结构直接接触的该介电层的第一部分具有第一最大高度，与所述多个导电结构直接接触的该介电层的第二部分具有第二最大高度，以及该第一最大高度大于该第二最大高度。
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权利要求：
百度查询： 南亚科技股份有限公司 半导体结构及其形成的方法
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