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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底上具有若干鳍部，若干鳍部沿第一方向排列，且若干鳍部平行于第二方向，第二方向垂直于第一方向，且第一方向和第二方向平行于衬底表面；在衬底表面、鳍部的侧壁表面和鳍部的顶部表面形成介质层，介质层内具有栅极开口，栅极开口暴露出衬底部分表面、鳍部部分侧壁表面和鳍部的部分顶部表面；在栅极开口内的衬底表面与鳍部表面形成第一功函数层；形成位于栅极开口内且位于相邻鳍部之间的隔断层，隔断层贯穿第一功函数层；在栅极开口内形成位于第一功函数层上的栅极层，栅极层暴露出隔断层顶部表面。所述方法增大了工艺窗口，减小了对栅极的损耗。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有若干鳍部，若干所述鳍部沿第一方向排列，且若干所述鳍部平行于第二方向，所述第二方向垂直于第一方向，且所述第一方向和第二方向平行于衬底表面；在所述衬底表面、所述鳍部的侧壁表面和所述鳍部的顶部表面形成介质层，所述介质层内具有栅极开口，所述栅极开口暴露出衬底部分表面、鳍部部分侧壁表面和鳍部的部分顶部表面；在所述栅极开口内的衬底表面与鳍部表面形成第一功函数层；形成位于所述栅极开口内且位于相邻鳍部之间的隔断层，所述隔断层贯穿所述第一功函数层；在所述栅极开口内形成位于所述第一功函数层上的栅极层，所述栅极层暴露出所述隔断层顶部表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法
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