龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成若干分立的初始沟道结构，所述初始沟道结构包括若干沿垂直于衬底表面方向重叠的沟道层以及相邻沟道层之间的牺牲层；在所述衬底以及初始沟道结构表面形成层间介质层，所述层间介质层内具有栅极开口，所述栅极开口横跨所述初始沟道结构，且所述栅极开口暴露出牺牲层表面；通过若干次去除改性工艺去除所述栅极开口暴露出的牺牲层，在相邻沟道层之间形成栅极槽，每次所述去除改性工艺包括：刻蚀所述牺牲层，以暴露出至少部分沟道层表面；对暴露出的沟道层表面进行表面疏水改性处理。所述半导体结构的形成方法减少了晶体管的沟道层之间的黏连缺陷，提升了器件性能。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成若干分立的初始沟道结构，所述初始沟道结构包括若干沿垂直于衬底表面方向重叠的沟道层以及相邻沟道层之间的牺牲层；在所述衬底以及初始沟道结构表面形成层间介质层，所述层间介质层内具有栅极开口，所述栅极开口横跨所述初始沟道结构，且所述栅极开口暴露出牺牲层表面；通过若干次去除改性工艺去除所述栅极开口暴露出的牺牲层，在相邻沟道层之间形成栅极槽，每次所述去除改性工艺包括：刻蚀所述牺牲层，以暴露出至少部分沟道层表面；对暴露出的沟道层表面进行表面疏水改性处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号