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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明公开了一种高介电常数金属栅MOS晶体管，包括：高介电常数金属栅以及自对准形成于所述高介电常数金属栅两侧的半导体衬底中的源漏区；源漏区的顶部的有源区金属零层形成于有源区金属零层开口中；在有源区金属零层开口底部暴露的源漏区的表面自对准形成有第一金属硅化物，在有源区金属零层开口的侧面形成有内侧墙，有源区金属零层形成于内侧墙所围的区域中。通过设置有源区金属零层开口的侧面和高介电常数金属栅之间的第一间距降低接触电阻；通过设置内侧墙的厚度增加有源区金属零层和高介电常数金属栅之间的第二间距并避免产生桥接。本发明还公开了一种高介电常数金属栅MOS晶体管的制造方法。
主权项：1.一种高介电常数金属栅MOS晶体管，其特征在于，包括：高介电常数金属栅以及自对准形成于所述高介电常数金属栅两侧的半导体衬底中的源漏区；在所述源漏区的顶部形成有穿过层间膜的有源区金属零层，所述有源区金属零层形成于有源区金属零层开口中；在所述有源区金属零层开口底部暴露的所述源漏区的表面自对准形成有第一金属硅化物，在所述有源区金属零层开口的侧面形成有内侧墙，所述有源区金属零层形成于所述有源区金属零层开口中的所述内侧墙所围的区域中，所述有源区金属零层的底部和所述第一金属硅化物接触；所述有源区金属零层开口的侧面和所述高介电常数金属栅之间具有第一间距，所述第一间距根据有源区金属零层和所述源漏区的接触面积的需要进行定义，所述第一间距越小，所述有源区金属零层和所述源漏区的接触面积越大，接触电阻越小；所述内侧墙用于增加所述有源区金属零层和所述高介电常数金属栅之间的第二间距且所述内侧墙的厚度根据使所述第二间距大于所述有源区金属零层和所述高介电常数金属栅之间产生桥接时阈值间距的需要进行设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法
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