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申请/专利权人：深圳市港祥辉电子有限公司
摘要：本发明公开了一种横向变掺杂沟道增强型氧化镓MOS器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，从下到上依次包括Fe掺杂半绝缘衬底、非故意掺杂UID层以及Si掺杂导电沟道区；所述Si掺杂导电沟道区的两侧均设置有n+源区，n+源区的内侧设置有n型掺杂区域和p‑掺杂区域，所述Si掺杂导电沟道区的上方设置有源极金属、栅极介质、漏极金属以及栅极金属。该横向变掺杂沟道增强型氧化镓MOS器件及其制备方法，栅极的横向平面结构提高了器件在高温环境下的稳定性；通过内部掺杂梯度的优化，实现了在低电阻和高耐压之间的优良平衡，扩展了应用范围；形成的pn结在未导通时有效关断漏电流，提升了器件的电性能，尤其是在高电压应用中。
主权项：1.一种横向变掺杂沟道增强型氧化镓MOS器件，其特征在于，包括Fe掺杂半绝缘衬底，所述Fe掺杂半绝缘衬底位于该器件的最底端，所述Fe掺杂半绝缘衬底的上方设置有非故意掺杂UID层，所述非故意掺杂UID层的上方设置有Si掺杂导电沟道区；所述Si掺杂导电沟道区的两侧均设置有n+源区，位于Si掺杂导电沟道区一侧的n+源区的内侧设置有n型掺杂区域，位于Si掺杂导电沟道区另一侧的n+源区的内侧设置有p-掺杂区域；所述n+源区的上方设置有源极金属，所述源极金属的内侧设置有位于Si掺杂导电沟道区、n型掺杂区域以及p-掺杂区域上方的栅极介质，所述栅极介质的两侧设置有漏极金属，所述栅极介质的上方设置有栅极金属。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市港祥辉电子有限公司 一种横向变掺杂沟道增强型氧化镓MOS器件及其制备方法
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