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申请/专利权人：深圳市港祥辉电子有限公司
摘要：本发明涉及加工控制技术领域，具体地公开了一种氧化镓LDMOSFET器件加工的控制方法及系统，包括：步骤一：对外延生长阶段中的外延层进行检测，获取检测数据；步骤二：基于检测数据，计算获得检测系数；步骤三：基于检测系数，对外延层的厚度进行评估，判断外延层的厚度是否合格，并生成厚度评估信号；步骤四：基于厚度不合格信号，分析温度波动是否对外延层的生长产生影响，并生成影响评估信号；步骤五：基于温度有影响信号，对后续外延生长阶段的温度波动范围进行限定本发明能够动态调整外延生长阶段的温度波动范围，有效抑制温度波动对外延层厚度均匀性的不利影响，从而提高外延层的质量和工艺稳定性。
主权项：1.一种氧化镓LDMOSFET器件加工的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：外延生长阶段和光刻与刻蚀阶段，并对其中外延生长阶段中的外延层进行评估检测，具体方法为以下步骤：步骤一：对外延生长阶段中的外延层进行检测，获取检测数据；其中，检测数据包括：厚度系数和均匀系数；步骤二：基于检测数据，计算获得检测系数；步骤三：基于检测系数，对外延层的厚度进行评估，判断外延层的厚度是否合格，并生成厚度评估信号；其中，厚度评估信号包括：厚度合格信号和厚度不合格信号；步骤四：基于厚度不合格信号，分析温度波动是否对外延层的生长产生影响，并生成影响评估信号；其中影响评估信号包括：温度有影响信号和温度无影响信号；步骤五：基于温度有影响信号，对后续外延生长阶段的温度波动范围进行限定。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市港祥辉电子有限公司 一种氧化镓LDMOSFET器件加工的控制方法及系统
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