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申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体领域，提供一种空气介质场板隔离的LDMOSFET器件及制造方法。LDMOSFET器件包括半导体衬底、漂移区、体区、阱区、源极、漏极以及栅极，还包括：场板以及场板隔离结构，场板隔离结构包括空气介质腔和氧化层，空气介质腔形成于漂移区内，氧化层用于封闭空气介质腔，场板形成于氧化层的表面。本发明采用封闭的空气介质腔作为场板隔离介质层，相对于采用二氧化硅场板隔离介质层，本发明的空气介质腔中的空气与漂移区的硅直接接触，彻底消除SiO₂‑Si的界面态，提高LDMOSFET器件的可靠性；并且，空气的介电常数远小于二氧化硅的介电常数，空气介质的场板隔离结构可以更好的降低表面电场，提高器件的击穿电压。
主权项：1.一种空气介质场板隔离的LDMOSFET器件，包括半导体衬底、漂移区、体区、阱区、源极、漏极以及栅极，其特征在于，还包括：场板以及场板隔离结构，所述场板隔离结构包括空气介质腔和氧化层，所述空气介质腔形成于漂移区内，所述空气介质腔的上方被所述氧化层覆盖，所述氧化层包括第一氧化层和第二氧化层，第一氧化层具有与空气介质腔连通的缺口，第二氧化层形成于第一氧化层的表面以覆盖第一氧化层的缺口，所述场板形成于所述第二氧化层的表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京智芯微电子科技有限公司 北京芯可鉴科技有限公司 空气介质场板隔离的LDMOSFET器件及制造方法
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